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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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SD215DE TO-72 4L

SD215DE TO-72 4L

HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO

Linear Integrated Systems, Inc.

468 -
SD215DE TO-72 4L

数据表

SD215 TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50mA (Ta) 5V, 25V 45Ohm @ 1mA, 10V Through Hole 1.5V @ 1µA - 20 V +30V, -25V - - - TO-72-4 - 300mW (Ta) -55°C ~ 125°C (TJ)
SD214DE TO-72 4L

SD214DE TO-72 4L

HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO

Linear Integrated Systems, Inc.

95 -
SD214DE TO-72 4L

数据表

SD214DE TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50mA (Ta) 5V, 25V 45Ohm @ 1mA, 10V Through Hole 1.5V @ 1µA - 20 V ±40V - - - TO-72-4 - 300mW (Ta) -55°C ~ 125°C (TJ)
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