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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs

制造商	系列	封装/外壳	包装	产品状态	FET 类型	技术	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）	导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs	安装类型	栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id	栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs	漏极到源极电压 (Vdss)	栅极电压 (Vgs)（最大值）	输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds	认证	FET 特性	供应商设备封装	等级	功耗（最大值）	工作温度
Alpha & Omega Semiconductor Inc. Analog Power Inc. ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED APSEMI Bruckewell Cambridge GaN Devices Central Semiconductor Corp Coherent Corp Comchip Technology CoolCAD Diodes Incorporated Diotec Semiconductor EPC EPC Space, LLC EVVO Fairchild Semiconductor Fairchild/ON Semiconductor fastSiC Flip Electronics GaNPower GeneSiC Semiconductor Goford Semiconductor Good-Ark Semiconductor Harris Corporation Honeywell Aerospace HY Electronic (Cayman) Limited IceMOS Technology Infineon Technologies International Rectifier Intersil Inventchip IXYS IXYS Integrated Circuits Division Linear Integrated Systems, Inc. Littelfuse Inc. MaxLinear, Inc. MDD Meritek Micro Commercial Co Microchip Technology Microsemi Corporation Motorola National Semiconductor NEC Corporation Nexperia USA Inc. NextGen Components Group NoMIS Power NovuSem Nuvoton Technology Corporation NXP Semiconductors onsemi Panasonic - BSG Panjit International Inc. PN Junction Semiconductor Qorvo Quest Semi Rectron USA Renesas ROHM Semiconductor Sanken Electric USA Inc. Sanyo SemiQ Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. Siemens Siliconix Skyworks Solutions Inc. SMC Diode Solutions SparkFun Electronics STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Corporation Texas Instruments Torex Semiconductor Ltd Toshiba Semiconductor and Storage Transphorm TT Electronics/Optek Technology UMW Venkel Vicor Corporation Vishay Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay Siliconix WeEn Semiconductors Wise-Integration Wolfspeed, Inc. YAGEO XSemi

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图片厂商料号库存情况价格数量数据表系列封装/外壳包装产品状态 FET 类型技术电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs 安装类型栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)（最大值）输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds 认证 FET 特性供应商设备封装等级功耗（最大值）工作温度

IV1Q12050T3

IV1Q12050T3

SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247

Inventchip

6,664

-

询价单

数据表

-

TO-247-3

Active

N-Channel

SiCFET (Silicon Carbide)

58A (Tc)

20V

65mOhm @ 20A, 20V

Through Hole

3.2V @ 6mA

120 nC @ 20 V

1200 V

+20V, -5V

2770 pF @ 800 V

-

-

TO-247-3

-

327W (Tc)

-55°C ~ 175°C (TJ)

IV1Q12050T4

IV1Q12050T4

SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247

Inventchip

3,082

-

询价单

数据表

-

TO-247-4

Active

N-Channel

SiCFET (Silicon Carbide)

58A (Tc)

20V

65mOhm @ 20A, 20V

Through Hole

3.2V @ 6mA

120 nC @ 20 V

1200 V

+20V, -5V

2750 pF @ 800 V

-

-

TO-247-4

-

344W (Tc)

-55°C ~ 175°C (TJ)

IV1Q12160T4

IV1Q12160T4

SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24

Inventchip

96

-

询价单

数据表

-

TO-247-4

Tube

Active

N-Channel

SiCFET (Silicon Carbide)

20A (Tc)

20V

195mOhm @ 10A, 20V

Through Hole

2.9V @ 1.9mA

43 nC @ 20 V

1200 V

+20V, -5V

885 pF @ 800 V

-

-

TO-247-4

-

138W (Tc)

-55°C ~ 175°C (TJ)

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