| 图片 | 厂商料号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据表 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) | 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs | 安装类型 | 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id | 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs | 漏极到源极电压 (Vdss) | 栅极电压 (Vgs)(最大值) | 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds | 认证 | FET 特性 | 供应商设备封装 | 等级 | 功耗(最大值) | 工作温度 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ICE20N60FPSuperjunction MOSFET IceMOS Technology |
7,413 | - |
|
数据表 |
- | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20A (Tc) | 10V | 190mOhm @ 10A, 10V | Through Hole | 3.9V @ 250µA | 59 nC @ 10 V | 600 V | ±20V | 2064 pF @ 25 V | - | - | TO-220FP | - | 35W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) |