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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 图片 | 厂商料号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据表 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 安装类型 | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 漏极到源极电压 (Vdss) | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | 认证 | FET 特性 | 供应商设备封装 | 等级 | 功耗（最大值） | 工作温度 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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HTNFET-DMOSFET N-CH 55V 8CDIP Honeywell Aerospace |
9,338 | - |
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数据表 |
HTMOS™ | 8-CDIP Exposed Pad | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | - | 5V | 400mOhm @ 100mA, 5V | Through Hole | 2.4V @ 100µA | 4.3 nC @ 5 V | 55 V | 10V | 290 pF @ 28 V | - | - | 8-CDIP-EP | - | 50W (Tj) | -55°C ~ 225°C (TJ) |
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HTNFET-TMOSFET N-CH 55V 4POWER TAB Honeywell Aerospace |
3,640 | - |
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数据表 |
HTMOS™ | 4-SIP | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | - | 5V | 400mOhm @ 100mA, 5V | Through Hole | 2.4V @ 100µA | 4.3 nC @ 5 V | 55 V | 10V | 290 pF @ 28 V | - | - | 4-Power Tab | - | 50W (Tj) | -55°C ~ 225°C (TJ) |
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HTNFET-DCMOSFET N-CH 55V 8-DIP Honeywell Aerospace |
7,953 | - |
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数据表 |
HTMOS™ | 8-CDIP Exposed Pad | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | - | 5V | 400mOhm @ 100mA, 5V | Through Hole | 2.4V @ 100µA | 4.3 nC @ 5 V | 55 V | 10V | 290 pF @ 28 V | - | - | - | - | 50W (Tj) | - |
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HTNFET-TCMOSFET N-CH 55V 4-PIN Honeywell Aerospace |
8,876 | - |
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数据表 |
HTMOS™ | - | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | - | 5V | 400mOhm @ 100mA, 5V | Through Hole | 2.4V @ 100µA | 4.3 nC @ 5 V | 55 V | 10V | 290 pF @ 28 V | - | - | - | - | 50W (Tj) | - |
