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场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs FET 特性 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 供应商设备封装 工作温度 安装类型 等级 认证

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DMN2991UDJ

DMN2991UDJ

MOSFET 2N-CH 20V 0.52A SOT963

Diodes Incorporated

3,951 -
DMN2991UDJ

数据表

- SOT-963 Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 20V 520mA (Ta) 990mOhm @ 100mA, 4.5V 1V @ 250µA 0.35C @ 4.5V - 21.5pF @ 15V 400mW (Ta) SOT-963 -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
2N7002DWAQ-7

2N7002DWAQ-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363

Diodes Incorporated

3,187 -
2N7002DWAQ-7

数据表

- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 60V 180mA (Ta) 6Ohm @ 115mA, 10V 2.5V @ 250µA 0.87nC @ 10V - 22pF @ 25V 300mW SOT-363 -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount Automotive AEC-Q101
DMN5L06VKQ-13

DMN5L06VKQ-13

MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563

Diodes Incorporated

9,220 -
DMN5L06VKQ-13

数据表

- SOT-563, SOT-666 Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 50V 280mA (Ta) 2Ohm @ 50mA, 5V 1V @ 250µA - - 50pF @ 25V 250mW SOT-563 -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount Automotive AEC-Q101
DMN61D9UDW-13-50

DMN61D9UDW-13-50

MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363

Diodes Incorporated

3,041 -
DMN61D9UDW-13-50

数据表

- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel 60V 350mA (Ta) 2Ohm @ 50mA, 5V 1V @ 250µA 0.4nC @ 4.5V - 28.5pF @ 30V 320mW (Ta) SOT-363 -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount Automotive AEC-Q101
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