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场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs FET 特性 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 供应商设备封装 工作温度 安装类型 等级 认证

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CTLDM303N-M832DS BK

CTLDM303N-M832DS BK

MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS

Central Semiconductor Corp

6,597 -
CTLDM303N-M832DS BK

数据表

- 8-TDFN Exposed Pad Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 30V 3.6A (Ta) 40mOhm @ 1.8A, 4.5V 1.25V @ 250µA 13nC @ 4.5V - 590pF @ 10V 1.65W TLM832DS -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
CMXDM7002A BK PBFREE

CMXDM7002A BK PBFREE

MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT26

Central Semiconductor Corp

2,892 -
CMXDM7002A BK PBFREE

数据表

- SOT-23-6 Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 60V 280mA (Ta) 2Ohm @ 500mA, 10V 2.5V @ 250µA 0.592nC @ 4.5V - 50pF @ 25V 350mW (Ta) SOT-26 -65°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
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