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    场效应晶体管（FET）、MOSFET 阵列

    制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs FET 特性 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds 功率 - 最大值 供应商设备封装 工作温度 安装类型 等级 认证

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    图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs FET 特性 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds 功率 - 最大值 供应商设备封装 工作温度 安装类型 等级 认证
    IXTL2X180N10T

    IXTL2X180N10T

    MOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAK

    Littelfuse Inc.

    		 2,847 -
    询价单
    		IXTL2X180N10T

    数据表

         		Trench ISOPLUSi5-PAK™ Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 100V 100A 7.4mOhm @ 50A, 10V 4.5V @ 250µA 151nC @ 10V - 6900pF @ 25V 150W ISOPLUSi5-Pak™ -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole - -
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