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场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs FET 特性 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 供应商设备封装 工作温度 安装类型 等级 认证

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FDMJ1023PZ

FDMJ1023PZ

MOSFET 2P-CH 20V 2.9A SC75

Fairchild Semiconductor

3,462 -
FDMJ1023PZ

数据表

PowerTrench® 6-WFDFN Exposed Pad Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) 20V 2.9A 112mOhm @ 2.9A, 4.5V 1V @ 250µA 6.5nC @ 4.5V Logic Level Gate 400pF @ 10V 700mW SC-75, MicroFET -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
SI6953DQ

SI6953DQ

MOSFET 2P-CH 20V 1.9A 8TSSOP

Fairchild Semiconductor

1,500 -
SI6953DQ

数据表

PowerTrench® 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) 20V 1.9A (Ta) 170mOhm @ 1.9A, 10V 3V @ 250µA 10nC @ 10V - 218pF @ 10V 600mW (Ta) 8-TSSOP -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
FDW2515NZ

FDW2515NZ

MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8TSSOP

Fairchild Semiconductor

165,292 -
FDW2515NZ

数据表

PowerTrench® 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5.8A (Ta) 28mOhm @ 5.8A, 4.5V 1.5V @ 250µA 12nC @ 5V - 745pF @ 10V 1.1W (Ta) 8-TSSOP -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
FDS6930A

FDS6930A

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC

Fairchild Semiconductor

4,310 -
FDS6930A

数据表

PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A 40mOhm @ 5.5A, 10V 3V @ 250µA 7nC @ 5V Logic Level Gate 460pF @ 15V 900mW 8-SOIC -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
FDW2511NZ

FDW2511NZ

MOSFET 2N-CH 20V 7.1A 8TSSOP

Fairchild Semiconductor

348,586 -
FDW2511NZ

数据表

PowerTrench® 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 7.1A 20mOhm @ 7.1A, 4.5V 1.5V @ 250µA 17.3nC @ 4.5V Logic Level Gate 1000pF @ 10V 1.6W 8-TSSOP -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
FDZ1905PZ

FDZ1905PZ

MOSFET 2P-CH 6WLCSP

Fairchild Semiconductor

2,700 -
FDZ1905PZ

数据表

PowerTrench® 6-UFBGA, WLCSP Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) - - 126mOhm @ 1A, 4.5V 1V @ 250µA - Logic Level Gate - 900mW 6-WLCSP (1x1.5) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
SI6955DQ

SI6955DQ

MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 8TSSOP

Fairchild Semiconductor

8,528 -
SI6955DQ

数据表

PowerTrench® 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) 30V 2.5A (Ta) 85mOhm @ 2.5A, 10V 3V @ 250µA 15nC @ 10V - 298pF @ 10V 1W (Ta) 8-TSSOP -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
FDM2509NZ

FDM2509NZ

MOSFET 2N-CH 20V 8.7A MICRO 2X2

Fairchild Semiconductor

4,849 -
FDM2509NZ

数据表

PowerTrench® 6-UDFN Exposed Pad Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 20V 8.7A 18mOhm @ 8.7A, 4.5V 1.5V @ 250µA 17nC @ 4.5V Logic Level Gate 1200pF @ 10V 800mW MicroFET 2x2 Thin -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
FDMA6023PZT

FDMA6023PZT

MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET

Fairchild Semiconductor

149,948 -
FDMA6023PZT

数据表

PowerTrench® 6-UDFN Exposed Pad Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) 20V 3.6A 60mOhm @ 3.6A, 4.5V 1.5V @ 250µA 17nC @ 4.5V Logic Level Gate 885pF @ 10V 700mW 6-MicroFET (2x2) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
FDS9933

FDS9933

MOSFET 2P-CH 20V 5A 8SOIC

Fairchild Semiconductor

20,000 -
FDS9933

数据表

PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) 20V 5A 55mOhm @ 3.2A, 4.5V 1.2V @ 250µA 20nC @ 4.5V Logic Level Gate 825pF @ 10V 900mW 8-SOIC -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount - -
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