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场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs FET 特性 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 供应商设备封装 工作温度 安装类型 等级 认证

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XP3A020M

XP3A020M

MOSFET 2N-CH 30V 7.8A 8SO

YAGEO XSEMI

9,141 -
XP3A020M

数据表

XP3A020 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel 30V 7.8A (Ta) 20mOhm @ 7A, 10V 2.5V @ 1mA 8nC @ 4.5V - 880pF @ 15V 2W (Ta) 8-SO -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
XP6932MT

XP6932MT

MOSFET 2N-CH 30V 14.2A 8PMPAK

YAGEO XSEMI

2,652 -
XP6932MT

数据表

XP6932 8-PowerLDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 14.2A (Ta), 28A (Tc), 22.9A (Ta), 40A (Tc) 5.5mOhm @ 14A, 10V, 2.5mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 30.4nC @ 10V, 64nC @ 10V - 1712pF @ 15V, 3920pF @ 15V 1.78W (Ta), 2.08W (Tc) 8-PMPAK (5x6) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
XP3A010AMT

XP3A010AMT

MOSFET 2N-CH 30V 12A 8PMPAK

YAGEO XSEMI

7,673 -
XP3A010AMT

数据表

XP3A010A 8-PowerLDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel 30V 12A (Ta), 35A (Tc) 10.4mOhm @ 12A, 10V 3V @ 1mA 22.4nC @ 4.5V - 2448pF @ 15V 3.57W (Ta) 8-PMPAK (5x6) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
XP6A038MT

XP6A038MT

MOSFET 2N-CH 60V 6.7A 8PMPAK

YAGEO XSEMI

3,100 -
XP6A038MT

数据表

XP6A038 8-PowerLDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel 60V 6.7A (Ta), 16.2A (Tc) 38mOhm @ 7A, 10V 3V @ 250µA 32nC @ 10V - 1840pF @ 25V 3.57W (Ta) 8-PMPAK (5x6) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
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