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    场效应晶体管（FET）、MOSFET 阵列

    制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs FET 特性 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds 功率 - 最大值 供应商设备封装 工作温度 安装类型 等级 认证

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    19MT050XF

    19MT050XF

    MOSFET 4N-CH 500V 31A 16MTP

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    		 3,977 -
    询价单
    		19MT050XF

    数据表

         		HEXFET® 16-MTP Module Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 4 N-Channel (Full Bridge) 500V 31A 220mOhm @ 19A, 10V 6V @ 250µA 160nC @ 10V - 7210pF @ 25V 1140W 16-MTP -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount - -
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