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场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs FET 特性 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 供应商设备封装 工作温度 安装类型 等级 认证

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FDS8978

FDS8978

MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP

UMW

8,575 -
FDS8978

数据表

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel 30V 7.5A (Ta) 18mOhm @ 7.5A, 10V 2.5V @ 250µA 26nC @ 10V - 1270pF @ 15V 1.6W (Ta) 8-SOP -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
IRF9389TR

IRF9389TR

MOSFET N/P-CH 30V 6.8A 8SOP

UMW

4,605 -
IRF9389TR

数据表

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel 30V 6.8A (Ta), 4.6A (Ta) 27mOhm @ 6.8A, 10V, 64mOhm @ 4.6A, 10V 2.3V @ 10µA 14nC @ 10V, 16nC @ 10V - 398pF @ 15V, 383pF @ 15V 2W (Ta) 8-SOP -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
IRF8313TR

IRF8313TR

MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SOIC

UMW

8,657 -
IRF8313TR

数据表

- - Active - - - - - - - - - - - - - - -
IRF7324TR

IRF7324TR

MOSFET 2P-CH 20V 9A 8SOP

UMW

7,882 -
IRF7324TR

数据表

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel 20V 9A (Ta) 18mOhm @ 9A, 4.5V 1V @ 250µA 63nC @ 5V - 2940pF @ 15V 2W (Ta) 8-SOP -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
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