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    场效应晶体管（FET）、MOSFET 阵列

    制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs FET 特性 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds 功率 - 最大值 供应商设备封装 工作温度 安装类型 等级 认证

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    CSD87330Q3DT

    CSD87330Q3DT

    MOSFET 2N-CH 30V 20A 8LSON

    Texas Instruments

    		 4,119 -
    询价单
    		CSD87330Q3DT

    数据表

         		NexFET™ 8-PowerLDFN Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 20A (Ta) 9.45mOhm @ 15A, 5V, 3.6mOhm @ 15A, 5V 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA 5.8nC @ 4.5V, 11.5nC @ 4.5V - 900pF @ 15V, 1632pF @ 15V 6W (Ta) 8-LSON (3.3x3.3) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
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