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场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs FET 特性 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 供应商设备封装 工作温度 安装类型 等级 认证

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TSM110NB04LDCR

TSM110NB04LDCR

MOSFET 2N-CH 40V 10A 8PDFN

Taiwan Semiconductor Corporation

7,003 -
TSM110NB04LDCR

数据表

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 40V 10A (Ta), 48A (Tc) 11mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 23nC @ 10V - 1269pF @ 20V 2W (Ta), 48W (Tc) 8-PDFN (5x6) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
TSM5055DCR

TSM5055DCR

MOSFET 2N-CH 30V 10A 8PDFN

Taiwan Semiconductor Corporation

2,602 -
TSM5055DCR

数据表

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 10A (Ta), 38A (Tc), 20A (Ta), 107A (Tc) 11.7mOhm @ 10A, 10V, 3.6mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 9.3nC @ 10V, 49nC @ 10V - 555pF @ 15V, 2550pF @ 15V 2.2W (Ta), 30W (Tc), 2.4W (Ta), 69W (Tc) 8-PDFN (5x6) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
TSM4925DCS

TSM4925DCS

MOSFET 2P-CH 30V 7.1A 8SOP

Taiwan Semiconductor Corporation

4,549 -
TSM4925DCS

数据表

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel 30V 7.1A (Ta) 25mOhm @ 7.1A, 10V 3V @ 250µA 70nC @ 10V - 1900pF @ 15V 2W (Ta) 8-SOP -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
TSM9926DCS RLG

TSM9926DCS RLG

MOSFET 2N-CH 20V 6A 8SOP

Taiwan Semiconductor Corporation

6,312 -
TSM9926DCS RLG

数据表

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 20V 6A (Tc) 30mOhm @ 6A, 10V 600mV @ 250µA 7.1nC @ 4.5V - 562pF @ 8V 1.6W 8-SOP -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
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