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场效应晶体管（FET）、MOSFET 阵列
| 图片 | 厂商料号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据表 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | 技术 | 配置 | 漏极到源极电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | FET 特性 | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | 功率 - 最大值 | 供应商设备封装 | 工作温度 | 安装类型 | 等级 | 认证 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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UFB15C12E1BC3NMOSFET 4P-CH 1200V 24A MODULE Qorvo |
8,436 | - |
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数据表 |
- | Module | Bulk | Active | SiCFET (Silicon Carbide) | 4 P-Channel (Full Bridge) | 1200V (1.2kV) | 24A (Tj) | 90mOhm @ 15A, 12V | 6V @ 10mA | 46nC @ 15V | Silicon Carbide (SiC) | 1445pF @ 800V | 96W (Tc) | Module | -55°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | - | - |
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UHB50SC12E1BC3NMOSFET 2P-CH 1200V 69A MODULE Qorvo |
6,527 | - |
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数据表 |
- | Module | Bulk | Active | SiCFET (Silicon Carbide) | 2 P-Channel (Half Bridge) | 1200V (1.2kV) | 69A (Tj) | 24mOhm @ 50A, 12V | 6V @ 20mA | 85nC @ 15V | Silicon Carbide (SiC) | 2930pF @ 800V | 208W (Tc) | Module | -55°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | - | - |
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UFB25SC12E1BC3NMOSFET 4P-CH 1200V 36A MODULE Qorvo |
4,658 | - |
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数据表 |
- | Module | Bulk | Active | SiCFET (Silicon Carbide) | 4 P-Channel (Full Bridge) | 1200V (1.2kV) | 36A (Tj) | 45mOhm @ 25A, 12V | 6V @ 10mA | 42.5nC @ 15V | Silicon Carbide (SiC) | 1450pF @ 800V | 114W (Tc) | Module | -55°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | - | - |
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UHB100SC12E1BC3NMOSFET 2P-CH 1200V 100A MODULE Qorvo |
2,320 | - |
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数据表 |
- | Module | Bulk | Active | SiCFET (Silicon Carbide) | 2 P-Channel (Half Bridge) | 1200V (1.2kV) | 100A (Tc) | 12mOhm @ 70A, 12V | 6V @ 40mA | 170nC @ 15V | Silicon Carbide (SiC) | 5859pF @ 800V | 417W (Tc) | Module | -55°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | - | - |
