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场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs FET 特性 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 供应商设备封装 工作温度 安装类型 等级 认证

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PJQ5846_R2_00001

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MOSFET 2N-CH 40V 9.5A 8DFN

Panjit International Inc.

6,230 -
PJQ5846_R2_00001

数据表

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 40V 9.5A (Ta), 40A (Tc) 10.5mOhm @ 8A, 10V 2.5V @ 250µA 22nC @ 10V - 1258pF @ 25V 1.7W (Ta), 32W (Tc) DFN5060B-8 -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
PJQ5848-AU_R2_000A1

PJQ5848-AU_R2_000A1

MOSFET 2N-CH 40V 8.6A 8DFN

Panjit International Inc.

5,064 -
PJQ5848-AU_R2_000A1

数据表

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 40V 8.6A (Ta), 30A (Tc) 12mOhm @ 12A, 10V 2.5V @ 250µA 10nC @ 4.5V - 1040pF @ 20V 2W (Ta), 23.8W (Tc) DFN5060B-8 -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount Automotive AEC-Q101
PJQ5846-AU_R2_000A1

PJQ5846-AU_R2_000A1

MOSFET 2N-CH 40V 9.5A 8DFN

Panjit International Inc.

9,566 -
PJQ5846-AU_R2_000A1

数据表

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 40V 9.5A (Ta), 40A (Tc) 10.5mOhm @ 8A, 10V 2.5V @ 250µA 22nC @ 10V - 1258pF @ 25V 2W (Ta), 38.5W (Tc) DFN5060B-8 -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount Automotive AEC-Q101
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