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场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs FET 特性 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 供应商设备封装 工作温度 安装类型 等级 认证

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KFC4B22180L

KFC4B22180L

MOSFET 2N-CH 20V 5A 4CSP

Nuvoton Technology Corporation

5,330 -
KFC4B22180L

数据表

- 4-XFLGA, CSP Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel, Common Drain 20V 5A (Ta) 11.9mOhm @ 2.5A, 4.5V 1.4V @ 640µA 23nC @ 4V - 2440pF @ 10V 400mW (Ta) 4-CSP (1.74x1.74) 150°C Surface Mount - -
KFCAB21490L

KFCAB21490L

MOSFET 2N-CH 12V 13.5A 10SMD

Nuvoton Technology Corporation

5,643 -
KFCAB21490L

数据表

- 10-SMD, No Lead Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel, Common Drain 12V 13.5A (Ta) 2.75mOhm @ 6A, 4.5V 1.4V @ 1.11mA 25nC @ 4V - 3570pF @ 10V 540mW (Ta) 10-SMD 150°C Surface Mount - -
KFCAB21520L

KFCAB21520L

MOSFET 2N-CH 12V 16A 10SMD

Nuvoton Technology Corporation

9,875 -
KFCAB21520L

数据表

- 10-SMD, No Lead Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel, Common Drain 12V 16A (Ta) 2mOhm @ 8A, 4.5V 1.4V @ 1.64mA 38nC @ 4V - 5250pF @ 10V 540mW (Ta) 10-SMD 150°C Surface Mount - -
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