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场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs FET 特性 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 供应商设备封装 工作温度 安装类型 等级 认证

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LN60A01EP-LF

LN60A01EP-LF

MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP

Monolithic Power Systems Inc.

9,931 -
LN60A01EP-LF

数据表

- 8-DIP (0.300", 7.62mm), 7 Leads Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 3 N-Channel, Common Gate 600V 80mA 190Ohm @ 10mA, 10V 1.2V @ 250µA - - - 1.3W 8-PDIP-7B -20°C ~ 125°C (TJ) Through Hole - -
LN60A01ES-LF

LN60A01ES-LF

MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC

Monolithic Power Systems Inc.

3,527 -
LN60A01ES-LF

数据表

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 3 N-Channel, Common Gate 600V 80mA 190Ohm @ 10mA, 10V 1.2V @ 250µA - - - 1.3W 8-SOIC -20°C ~ 125°C (TJ) Surface Mount - -
LN60A01ES-LF-Z

LN60A01ES-LF-Z

MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC

Monolithic Power Systems Inc.

9,841 -
LN60A01ES-LF-Z

数据表

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 3 N-Channel, Common Gate 600V 80mA 190Ohm @ 10mA, 10V 1.2V @ 250µA - - - 1.3W 8-SOIC -20°C ~ 125°C (TJ) Surface Mount - -
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