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桥式整流器

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 二极管类型 技术 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 电流 - 反向漏电 @ Vr 工作温度 等级 电压 - 反向峰值(最大值) 认证 安装类型 供应商设备封装

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VS-90MT120KPBF

VS-90MT120KPBF

BRIDGE RECT 3P 1.2KV 90A MT-K

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,660 -
VS-90MT120KPBF

数据表

- MT-K Module Tray Active Three Phase Standard 90 A - - -40°C ~ 150°C (TJ) - 1.2 kV - Chassis Mount MT-K
GBL04E-E3/P

GBL04E-E3/P

BRIDGE RECT 1PHASE 400V 3A GBL

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,729 -
GBL04E-E3/P

数据表

- 4-SIP, GBL Bulk Active Single Phase Standard 3 A 1 V @ 4 A 5 µA @ 400 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 400 V - Through Hole GBL
GBL08E-E3/P

GBL08E-E3/P

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.6A GBL

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,049 -
GBL08E-E3/P

数据表

- 4-SIP, GBL Bulk Active Single Phase Standard 2.6 A 1 V @ 4 A 5 µA @ 800 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 800 V - Through Hole GBL
VS-KBPC802

VS-KBPC802

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 8A D-72

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,188 -
VS-KBPC802

数据表

VS-KBPC8 4-Square, D-72 Bulk Active Single Phase Standard 8 A 1 V @ 3 A 10 µA @ 200 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 200 V - Through Hole D-72
VS-KBPC608

VS-KBPC608

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A D-72

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,878 -
VS-KBPC608

数据表

VS-KBPC6 4-Square, D-72 Bulk Active Single Phase Standard 6 A 1.2 V @ 3 A 10 µA @ 800 V -40°C ~ 150°C (TJ) - 800 V - Through Hole D-72
VS-26MT100

VS-26MT100

BRIDGE RECT 3PHASE 1KV 25A D-63

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,952 -
VS-26MT100

数据表

- 5-Square, D-63 Bulk Active Three Phase Standard 25 A - 100 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 1 kV - QC Terminal D-63
VS-130MT160KPBF

VS-130MT160KPBF

BRIDGE RECT 3P 1.6KV 130A MT-K

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,042 -
VS-130MT160KPBF

数据表

- MT-K Module Tray Active Three Phase Standard 130 A - - -40°C ~ 150°C (TJ) - 1.6 kV - Chassis Mount MT-K
VS-SC50BA120

VS-SC50BA120

BRIDGE RECT 1P 1.2KV 50A SOT-227

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,696 -
VS-SC50BA120

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Tube Active Single Phase Silicon Carbide Schottky 50 A 1.73 V @ 50 A 120 µA @ 1200 V -40°C ~ 175°C (TJ) - 1.2 kV - Chassis Mount SOT-227
VS-SC90BA120

VS-SC90BA120

BRIDGE RECT 1P 1.2KV 90A SOT-227

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,355 -
VS-SC90BA120

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Tube Active Single Phase Silicon Carbide Schottky 90 A 1.9 V @ 90 A 180 µA @ 1200 V -40°C ~ 175°C (TJ) - 1.2 kV - Chassis Mount SOT-227
DF005MA-E3/45

DF005MA-E3/45

BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DFM

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,846 -
DF005MA-E3/45

数据表

- 4-EDIP (0.300", 7.62mm) Tube Active Single Phase Standard 1 A 1.1 V @ 1 A 5 µA @ 50 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 50 V - Through Hole DFM
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