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电流调节 - 二极管、晶体管

制造商 系列 包装 产品状态 电压 - 阳极到阴极 (Vak)(最大值) 稳压电流(最大值) 功率 - 最大值 应用 工作温度 等级 认证 电压 - 限制(最大值) 安装类型 供应商设备封装

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JANS1N5303-1

JANS1N5303-1

DIODE CUR REG 100V 1.76MA 500MW

Microchip Technology

6,117 -
JANS1N5303-1

数据表

- Bulk Active 100V 1.76mA 500mW - -65°C ~ 175°C (TJ) Military MIL-PRF-19500/463 1.65V Through Hole DO-7
JANS1N5304-1

JANS1N5304-1

DIODE CUR REG 100V 1.98MA 500MW

Microchip Technology

2,182 -
JANS1N5304-1

数据表

- Bulk Active 100V 1.98mA 500mW - -65°C ~ 175°C (TJ) Military MIL-PRF-19500/463 1.75V Through Hole DO-7
JANS1N5306-1

JANS1N5306-1

DIODE CUR REG 100V 2.42MA 500MW

Microchip Technology

6,559 -
JANS1N5306-1

数据表

- Bulk Active 100V 2.42mA 500mW - -65°C ~ 175°C (TJ) Military MIL-PRF-19500/463 1.95V Through Hole DO-7
JANS1N5307-1

JANS1N5307-1

DIODE CUR REG 100V 2.64MA 500MW

Microchip Technology

8,248 -
JANS1N5307-1

数据表

- Bulk Active 100V 2.64mA 500mW - -65°C ~ 175°C (TJ) Military MIL-PRF-19500/463 2V Through Hole DO-7
JANS1N5308-1

JANS1N5308-1

DIODE CUR REG 100V 2.97MA 500MW

Microchip Technology

3,566 -
JANS1N5308-1

数据表

- Bulk Active 100V 2.97mA 500mW - -65°C ~ 175°C (TJ) Military MIL-PRF-19500/463 2.15V Through Hole DO-7
JANS1N5309-1

JANS1N5309-1

DIODE CUR REG 100V 3.3MA 500MW

Microchip Technology

7,084 -
JANS1N5309-1

数据表

- Bulk Active 100V 3.3mA 500mW - -65°C ~ 175°C (TJ) Military MIL-PRF-19500/463 2.25V Through Hole DO-7
JANS1N5310-1

JANS1N5310-1

DIODE CUR REG 100V 3.63MA 500MW

Microchip Technology

6,723 -
JANS1N5310-1

数据表

- Bulk Active 100V 3.63mA 500mW - -65°C ~ 175°C (TJ) Military MIL-PRF-19500/463 2.35V Through Hole DO-7
JANS1N5311-1

JANS1N5311-1

DIODE CUR REG 100V 3.96MA 500MW

Microchip Technology

2,364 -
JANS1N5311-1

数据表

- Bulk Active 100V 3.96mA 500mW - -65°C ~ 175°C (TJ) Military MIL-PRF-19500/463 2.5V Through Hole DO-7
JANS1N5312-1

JANS1N5312-1

DIODE CUR REG 100V 4.29MA 500MW

Microchip Technology

5,651 -
JANS1N5312-1

数据表

- Bulk Active 100V 4.29mA 500mW - -65°C ~ 175°C (TJ) Military MIL-PRF-19500/463 2.6V Through Hole DO-7
JANS1N5313-1

JANS1N5313-1

DIODE CUR REG 100V 4.73MA 500MW

Microchip Technology

3,163 -
JANS1N5313-1

数据表

- Bulk Active 100V 4.73mA 500mW - -65°C ~ 175°C (TJ) Military MIL-PRF-19500/463 2.75V Through Hole DO-7
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