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单个双极晶体管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 晶体管类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 集电极饱和电压 (Vce)(最大值)@ Ib, Ic 电流 - 集电极截止(最大值) 直流电流增益(hFE)(最小值)@ Ic, Vce 功率 - 最大值 频率 - 跃迁 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 晶体管类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 集电极饱和电压 (Vce)(最大值)@ Ib, Ic 电流 - 集电极截止(最大值) 直流电流增益(hFE)(最小值)@ Ic, Vce 功率 - 最大值 频率 - 跃迁 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装
2SC2235-Y(T6FJT,AF

2SC2235-Y(T6FJT,AF

TRANS NPN 120V 0.8A TO-92MOD

Toshiba Semiconductor and Storage

9,559 -
2SC2235-Y(T6FJT,AF

数据表

- TO-226-3, TO-92-3 Long Body Bulk Obsolete NPN 800 mA 1V @ 50mA, 500mA 100nA (ICBO) 80 @ 100mA, 5V 900 mW 120MHz 120 V 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92MOD
2SC2235-Y(T6FJT,FM

2SC2235-Y(T6FJT,FM

TRANS NPN 120V 0.8A TO-92MOD

Toshiba Semiconductor and Storage

6,502 -
2SC2235-Y(T6FJT,FM

数据表

- TO-226-3, TO-92-3 Long Body Bulk Obsolete NPN 800 mA 1V @ 50mA, 500mA 100nA (ICBO) 80 @ 100mA, 5V 900 mW 120MHz 120 V 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92MOD
2SC2235-Y(T6KMATFM

2SC2235-Y(T6KMATFM

TRANS NPN 120V 0.8A TO-92MOD

Toshiba Semiconductor and Storage

9,834 -
2SC2235-Y(T6KMATFM

数据表

- TO-226-3, TO-92-3 Long Body Bulk Obsolete NPN 800 mA 1V @ 50mA, 500mA 100nA (ICBO) 80 @ 100mA, 5V 900 mW 120MHz 120 V 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92MOD
2SC2235-Y(T6ND,AF

2SC2235-Y(T6ND,AF

TRANS NPN 120V 0.8A TO-92MOD

Toshiba Semiconductor and Storage

3,663 -
2SC2235-Y(T6ND,AF

数据表

- TO-226-3, TO-92-3 Long Body Bulk Obsolete NPN 800 mA 1V @ 50mA, 500mA 100nA (ICBO) 80 @ 100mA, 5V 900 mW 120MHz 120 V 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92MOD
2SC2235-Y(T6OMI,FM

2SC2235-Y(T6OMI,FM

TRANS NPN 120V 0.8A TO-92MOD

Toshiba Semiconductor and Storage

2,814 -
2SC2235-Y(T6OMI,FM

数据表

- TO-226-3, TO-92-3 Long Body Bulk Obsolete NPN 800 mA 1V @ 50mA, 500mA 100nA (ICBO) 80 @ 100mA, 5V 900 mW 120MHz 120 V 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92MOD
2SC2235-Y,F(J

2SC2235-Y,F(J

TRANS NPN 120V 0.8A TO-92MOD

Toshiba Semiconductor and Storage

9,083 -
2SC2235-Y,F(J

数据表

- TO-226-3, TO-92-3 Long Body Bulk Obsolete NPN 800 mA 1V @ 50mA, 500mA 100nA (ICBO) 80 @ 100mA, 5V 900 mW 120MHz 120 V 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92MOD
2SC2235-Y,T6F(J

2SC2235-Y,T6F(J

TRANS NPN 120V 0.8A TO-92MOD

Toshiba Semiconductor and Storage

2,973 -
2SC2235-Y,T6F(J

数据表

- TO-226-3, TO-92-3 Long Body Bulk Obsolete NPN 800 mA 1V @ 50mA, 500mA 100nA (ICBO) 80 @ 100mA, 5V 900 mW 120MHz 120 V 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92MOD
2SC2235-Y,T6USNF(M

2SC2235-Y,T6USNF(M

TRANS NPN 120V 0.8A TO-92MOD

Toshiba Semiconductor and Storage

9,617 -
2SC2235-Y,T6USNF(M

数据表

- TO-226-3, TO-92-3 Long Body Bulk Obsolete NPN 800 mA 1V @ 50mA, 500mA 100nA (ICBO) 80 @ 100mA, 5V 900 mW 120MHz 120 V 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92MOD
2SC2235-Y,USNHF(M

2SC2235-Y,USNHF(M

TRANS NPN 120V 0.8A TO-92MOD

Toshiba Semiconductor and Storage

5,165 -
2SC2235-Y,USNHF(M

数据表

- TO-226-3, TO-92-3 Long Body Bulk Obsolete NPN 800 mA 1V @ 50mA, 500mA 100nA (ICBO) 80 @ 100mA, 5V 900 mW 120MHz 120 V 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92MOD
2SC2383-O(T6OMI,FM

2SC2383-O(T6OMI,FM

TRANS NPN 160V 1A TO-92MOD

Toshiba Semiconductor and Storage

2,974 -
2SC2383-O(T6OMI,FM

数据表

- TO-226-3, TO-92-3 Long Body Bulk Obsolete NPN 1 A 1.5V @ 50mA, 500mA 1µA (ICBO) 60 @ 200mA, 5V 900 mW 100MHz 160 V 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92MOD
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