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双极晶体管阵列，预偏置
| 图片 | 厂商料号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据表 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | 晶体管类型 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 电阻 - 基极 (R1) | 电阻 - 发射极基极 (R2) | 直流电流增益（hFE）（最小值）@ Ic, Vce | 集电极饱和电压 (Vce)（最大值）@ Ib, Ic | 电流 - 集电极截止（最大值） | 电压 - 集电极发射极击穿（最大值） | 频率 - 跃迁 | 功率 - 最大值 | 等级 | 供应商设备封装 | 认证 | 安装类型 |
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NSBA144EDXV6T1GNSBA144EDXV6 - DUAL PNP BIAS RES Fairchild Semiconductor |
36,000 | - |
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数据表 |
- | SOT-563, SOT-666 | Bulk | Active | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) | 100mA | 47kOhms | 47kOhms | 80 @ 5mA, 10V | 250mV @ 300µA, 10mA | 500nA | 50V | - | 500mW | - | SOT-563 | - | Surface Mount |
