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双极射频晶体管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 晶体管类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 噪声系数(典型值 dB @ f) 增益 功率 - 最大值 直流电流增益(hFE)(最小值)@ Ic, Vce 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 频率 - 跃迁 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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MPSH17-D26Z

MPSH17-D26Z

TRANS NPN 15V TO-92

Fairchild Semiconductor

10,000 -
MPSH17-D26Z

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
MPSH10

MPSH10

RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

Fairchild Semiconductor

12,234 -
MPSH10

数据表

- - Bulk Obsolete NPN 25V - - 350mW 60 @ 4mA, 10V - 650MHz -65°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole -
MMBTH34

MMBTH34

RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

Fairchild Semiconductor

51,000 -
MMBTH34

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Obsolete NPN 40V - - 225mW 15 @ 20mA, 2V 50mA 500MHz -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
KSC1393YTA

KSC1393YTA

RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST

Fairchild Semiconductor

50,000 -
KSC1393YTA

数据表

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Bulk Obsolete NPN 30V 2dB @ 200MHz 24dB 250mW 90 @ 2mA, 10V 20mA 700MHz 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92-3
KSP10BU

KSP10BU

RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST

Fairchild Semiconductor

60,070 -
KSP10BU

数据表

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Bulk Active NPN 25V - - 350mW 60 @ 4mA, 10V - 650MHz 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92-3
KSP10TA

KSP10TA

RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST

Fairchild Semiconductor

29,924 -
KSP10TA

数据表

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Bulk Active NPN 25V - - 350mW 60 @ 4mA, 10V - 650MHz 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92-3
2SC4853A-4-TL-E

2SC4853A-4-TL-E

2SC4853 - RF SMALL SIGNAL BIPOLA

Fairchild Semiconductor

9,000 -
2SC4853A-4-TL-E

数据表

- SC-70, SOT-323 Bulk Active NPN 6V 2.6dB ~ 1.9dB @ 1GHz 7dB ~ 10.5dB @ 1GHz 90mW 90 @ 1mA, 1V 15mA 5GHz 150°C (TJ) - - Surface Mount 3-MCP
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