Vishay 40 V TrenchFET Gen IV 标准级 MOSFET：面向电机控制

Vishay 发布了四款 40 V TrenchFET Gen IV 标准级 N 沟道功率 MOSFET：SIR5402DP、SIR5404DP、SIR5406DP 和 SIR5408DP。该系列将 2.5 V 最低栅源阈值规格与较低的米勒电荷比结合，适合需要审视栅极噪声和误导通风险的电机控制功率级。

目录

• 已发布型号与关键参数
• 阈值电压和米勒电荷比的意义
• 四个型号之间如何选择
• 封装与 PCB 检查要点
• 相关信息

已发布型号与关键参数

该系列于 2026 年 7 月 7 日发布，采用 Vishay 6.15 mm x 5.15 mm 的 PowerPAK SO-8 单封装。四款器件的漏源额定电压均为 40 V，栅源额定电压为正负 20 V。Vishay 将其用于 BLDC 电机级、电动工具、无人机、同步整流和 DC/DC 变换等具有 10 V 栅极驱动条件的场景。

四个型号在同一封装中提供导通损耗与驱动损耗之间的不同取向。表中为 Vishay 发布信息给出的典型值；确定选型前仍应结合最新数据手册、温度条件和 PCB 散热路径核对限值。

阈值电压和米勒电荷比的意义

在开关型电机功率级中，漏极电压变化会经由 MOSFET 电容耦合至栅极。当器件应保持关断时，这类瞬态可能把栅压推向阈值附近，进而增加误导通风险。Vishay 为该标准级系列标注 2.5 V 最低栅源阈值，Qgd/Qgs 小于 1，四款器件的典型范围为 0.69 至 0.75。

这并不替代栅极驱动设计本身。仍需结合实际 PCB 检查驱动器下拉阻抗、共源电感、关断电阻、负向瞬态裕量和开关波形。该新系列可作为同时关注低导通电阻和栅极噪声审视的选项。

四个型号之间如何选择

可先从导通损耗目标和可用栅极驱动电流开始。SIR5402DP 的典型导通电阻最低，而所列总栅电荷最高；SIR5408DP 的所列总栅电荷较低，典型导通电阻相应更高。SIR5404DP 与 SIR5406DP 则提供中间档位，便于在散热预算和开关损耗预算之间平衡。

• 确认栅极驱动器能够提供 RDS(on) 参数所对应的 10 V 驱动条件。
• 使用目标结温下的最大 RDS(on) 评估导通损耗，而不只看室温典型值。
• 结合驱动器的灌拉电流、实际母线电压和开关频率计算开关损耗。
• 针对最终电机或变换器拓扑，按型号数据手册核对雪崩、电流、热性能和安全工作区要求。

封装与 PCB 检查要点

PowerPAK SO-8 单封装让该系列保持在统一的 6.15 mm x 5.15 mm 占板尺寸内。对于低导通电阻 MOSFET，铜箔铺展和电流回路会显著影响最终结果。在布局允许的情况下，应缩短驱动回路，将本地去耦靠近半桥或开关节点，并让敏感的栅极回流远离高 di/dt 功率路径。

本文介绍的是新系列发布，不应替代器件级验证。进入量产前，请以当前 Vishay 数据手册确认最终型号、热设计、瞬态表现和应用要求。

相关信息

• 开关与功率电路中的 MOSFET 选型
• 各电源轨的 LDO 和 DC/DC 器件选型
• 为联网设备做好可靠的功率转换

来源：Vishay 40 V 标准级 MOSFET 原厂发布。