随着手机快充\电动汽车\无刷电机以及锂电池的兴起,中压 MOSFET 的需求日益增长,中压功率器件开始蓬勃发展.因其巨大的市场份额,众多国内外制造商已在电机驱动系统\逆变系统和电源管理系统中广泛应用相关器件,它们是核心的功率控制组件.

作为一种重要的功率半导体器件,屏蔽栅沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管(SGT MOSFET)广泛应用于PD快充\电机驱动(Motor driver)\电池管理系统(BMS)\电动工具等领域.单管SGT MOSFET：VBGL7103 具有低导通电阻和低栅极电荷的优势,能够提高功率密度\降低损耗,并且具备更好的电磁干扰(EMI)优势.

1. 低导通电阻,有效降低损耗

VBGL7103采用独特的屏蔽栅沟槽(SGT)工艺设计,使得开关损耗比普通沟槽小得多.其沟槽深度比普通沟槽深3 - 5倍.它不仅在传统沟槽MOSFET器件PN结垂直耗尽的基础上引入了横向耗尽,还利用更多的外延体积来阻挡电压.

2. 出色的功率与能耗性能

由于沟槽挖掘深度深3 - 5倍,SGT MOSFET能够横向利用更多的外延体积来阻挡电压,从而大幅降低导通电阻.

3. 降低开关损耗

SGT技术的低Qg特性,结合屏蔽栅结构的应用,使得VBGL7103 MOSFET的米勒电容CGD比传统器件低几倍,大大降低了开关电源应用中的开关损耗,提高了整体效率.此外,其较低的CGD/CGS比率也进一步优化了性能.

4. EMI优势和雪崩耐量(EAS)能力

VBGL7103 MOSFET 在SGT结构中具有更深的沟槽,能够更有效地利用晶体硅的体积吸收EAS能量,使其在雪崩过程中表现更出色,可靠地承受雪崩击穿和浪涌电流.此外,SGT结构中的CD - shield和Rshield可以吸收器件关断时dv/dt变化引起的尖峰和振荡,进一步降低应用中的风险.

参数特性：

VDS(漏源电压)：100V

Vgs(栅源电压)：20V

ID(漏极电流)：180A

Rds(on)(导通电阻)：

在10V时：0.003Ω

在4.5V时：0.005Ω

VBGL7103 MOSFET采用TO - 263 - 7L封装,具有以下优势：

1. 出色的散热性能：拥有大面积的散热接触面,可将器件产生的热量更有效地传递到散热片或散热器上,提高散热效率,确保器件在高负载下性能稳定.

2. 易于安装：封装结构紧凑,引脚排列合理,便于焊接和安装,同时降低了安装过程中误操作的风险,提高生产效率.

3. 良好的电气特性：考虑了电气接地和阻抗匹配等因素,能够提供良好的电气性能,减少电路中的串扰和干扰,确保信号稳定可靠传输.

4. 高机械强度：采用耐高温材料制成,具有较高的机械强度和环境耐受性,可适应各种恶劣的工作环境条件.

应用领域：

电机驱动系统：在电机驱动中,VBGL7103能够稳定高效地控制电流,提供出色的性能.

逆变系统：作为关键的开关器件,它可以在逆变系统中实现高效的能量转换.

电源管理系统：在电源管理方面,VBGL7103能够提供可靠的功率控制,确保系统稳定运行.