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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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NTE125

NTE125

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

NTE Electronics, Inc

19,705 -
NTE125

数据表

- DO-204AL, DO-41, Axial Box Active Standard 1000 V 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 600 V - 1A - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 175°C
1N4001

1N4001

DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

NTE Electronics, Inc

4,464 -
1N4001

数据表

- DO-204AL, DO-41, Axial Box Active Standard 50 V 1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 50 V 15pF @ 4V, 1MHz 1A - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 125°C
1N5401

1N5401

DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

NTE Electronics, Inc

8,309 -
1N5401

数据表

- DO-201AD, Axial Box Active Standard 100 V 1.2 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 100 V 30pF @ 4V, 1MHz 3A - - Through Hole DO-201AD -55°C ~ 150°C
1N4004

1N4004

DIODE GEN PURP 400V 1A DO41

NTE Electronics, Inc

2,152 -
1N4004

数据表

- DO-204AL, DO-41, Axial Box Active Standard 400 V 1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 400 V 15pF @ 4V, 1MHz 1A - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 125°C
1N4007

1N4007

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

NTE Electronics, Inc

7,833 -
1N4007

数据表

- DO-204AL, DO-41, Axial Box Active Standard 1000 V 1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 1000 V 15pF @ 4V, 1MHz 1A - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 125°C
1N4148

1N4148

DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

NTE Electronics, Inc

6,709 -
1N4148

数据表

- DO-204AH, DO-35, Axial Box Active Standard 75 V 1 V @ 10 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 4 ns 5 µA @ 75 V 4pF @ 0V, 1MHz 150mA - - Through Hole DO-35 -65°C ~ 175°C
1N4002

1N4002

DIODE GEN PURP 100V 1A DO41

NTE Electronics, Inc

1 -
1N4002

数据表

- DO-204AL, DO-41, Axial Box Active Standard 100 V 1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 100 V 15pF @ 4V, 1MHz 1A - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 125°C
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