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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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ADC6D10065E

ADC6D10065E

DIODE SIL SIC 650V 35A TO252-2

Analog Power Inc.

1,500 -
ADC6D10065E

数据表

WBG TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.8 V @ 2 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 2 µA @ 650 V 6.3pF @ 0V, 100kHz 35A - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
ADC4D10120D

ADC4D10120D

DIODE SIL SIC 1200V 9A TO247-3

Analog Power Inc.

550 -
ADC4D10120D

数据表

WBG TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.8 V @ 2 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 2 µA @ 1200 V 6.3pF @ 0V, 100kHz 9A - - Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
ADE4D20120D

ADE4D20120D

DIODE SIL SIC 1200V 33A TO247-3

Analog Power Inc.

500 -
ADE4D20120D

数据表

WBG TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.85 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 20 µA @ 1200 V 12pF @ 0V, 100kHz 33A - - Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
ADC6D10065G

ADC6D10065G

DIODE SIL SIC 650V 36A TO263-2

Analog Power Inc.

1,000 -
ADC6D10065G

数据表

WBG TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.8 V @ 2 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 2 µA @ 650 V 6.3pF @ 0V, 100kHz 36A - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
ADC3D10065I

ADC3D10065I

DIODE SIL SIC 1200V 10A TO220

Analog Power Inc.

550 -
ADC3D10065I

数据表

- TO-220-2 Full Pack Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 2 µA @ 650 V 6.3pF @ 200V, 100kHz 10A - - Through Hole TO-220F -40°C ~ 175°C
ADC4D10120E

ADC4D10120E

DIODE SIL SIC 1200V 33A TO252-2

Analog Power Inc.

2,500 -
ADC4D10120E

数据表

WBG TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 2 µA @ 1200 V 6.3pF @ 0V, 100kHz 33A - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
ADC4D10120H

ADC4D10120H

DIODE SIL SIC 1200V 31.5A TO247-

Analog Power Inc.

950 -
ADC4D10120H

数据表

WBG TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.8 V @ 2 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 2 µA @ 1200 V 6.3pF @ 0V, 100kHz 31.5A - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
ADE4D20120G

ADE4D20120G

DIODE SIL SIC 1200V 56A TO263-2

Analog Power Inc.

600 -
ADE4D20120G

数据表

WBG TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.85 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 20 µA @ 1200 V 12pF @ 0V, 100kHz 56A - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
ADC4D20120H

ADC4D20120H

DIODE SIL SIC 1200V 54A TO247-2

Analog Power Inc.

800 -
ADC4D20120H

数据表

WBG TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.85 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 10 µA @ 1200 V 12pF @ 0V, 100kHz 54A - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
ADC6D10065A

ADC6D10065A

DIODE SIL SIC 650V 37A TO220-2

Analog Power Inc.

1 -
ADC6D10065A

数据表

WBG TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.8 V @ 2 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 2 µA @ 650 V 6.3pF @ 0V, 100kHz 37A - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
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