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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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DA573S6-TL-H

DA573S6-TL-H

SILICON DIFFUSED JUNCTION TYPE D

Sanyo

175,000 -
DA573S6-TL-H

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
NSR05F30NRT5G

NSR05F30NRT5G

DIODE SCHOTTKY 30V 500MA 2DSN

Sanyo

40,000 -
NSR05F30NRT5G

数据表

- 0402 (1006 Metric) Bulk Obsolete Schottky 30 V 430 mV @ 500 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 75 µA @ 30 V - 500mA - - Surface Mount 2-DSN (1x0.6), (0402) 150°C (Max)
SB10-03A-2

SB10-03A-2

DIODE SCHOTTKY 30V 1A AXIAL

Sanyo

7,000 -
SB10-03A-2

数据表

- Axial Bulk Active Schottky 30 V 550 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 1 mA @ 30 V - 1A - - Through Hole Axial 125°C
DWC010-TE-E

DWC010-TE-E

SILICON EPITAXIAL PLANAR

Sanyo

90,000 -
DWC010-TE-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
SB007T03Q-TL-E-SY

SB007T03Q-TL-E-SY

30 V, 70 MILLI AMP SCHOTTKY BARR

Sanyo

18,000 -
SB007T03Q-TL-E-SY

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
RD0306T-TL-H

RD0306T-TL-H

DIODE GEN PURP 600V 3A TP-FA

Sanyo

5,600 -
RD0306T-TL-H

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active Standard 600 V 1.5 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 600 V - 3A - - Surface Mount TP-FA 150°C (Max)
1SS350-TB-E

1SS350-TB-E

SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY

Sanyo

2,505 -
1SS350-TB-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
SB50-18

SB50-18

RECTIFIER SCHOTTKY BARRIER DIODE

Sanyo

22,300 -
SB50-18

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
RD0506LS-SB5

RD0506LS-SB5

DIODE GEN PURP 5A TO220FI-SB

Sanyo

2,000 -
RD0506LS-SB5

数据表

- TO-220-2 Full Pack Bulk Active Standard - 1.6 V @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 50 µA @ 600 V - 5A - - Through Hole TO-220FI(LS)-SB 150°C (Max)
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