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单个二极管
| 图片 | 厂商料号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据表 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | 技术 | 电压 - 直流反向 (Vr)（最大值） | 电压 - 正向 (Vf)（最大值）@ If | 速度 | 反向恢复时间 (trr) | 电流 - 反向漏电 @ Vr | 电容 @ Vr, F | 电流 - 平均整流（Io） | 等级 | 认证 | 安装类型 | 供应商设备封装 | 工作温度 - 结点 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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QS50T45TSolar Schottky Diode Quest Semi |
900 | - |
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数据表 |
- | Module | Tube | Active | Schottky | 45 V | 500 mV @ 30 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - | 80 mA @ 45 V | - | 50A | - | - | Chassis Mount | - | -55°C ~ 200°C |
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QS50T45DSolar Schottky Diode Quest Semi |
1,000 | - |
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数据表 |
- | - | Tube | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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QSD50HCS120U1200v 50amp SiC Schottky Barrier Quest Semi |
1,000 | - |
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数据表 |
- | TO-220-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 1.7 V @ 50 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 40 µA @ 1200 V | 2380000pF @ 0V, 1MHz | 149A | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-220-2L | -55°C ~ 175°C |
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QSD10HCS120USchottky barrier diode 1200v 10a Quest Semi |
1,600 | - |
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数据表 |
- | TO-220-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 1.8 V @ 10 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 250 µA @ 1200 V | 770pF @ 0V, 1MHz | 37A | - | - | Through Hole | TO-220-2 | -55°C ~ 175°C |
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QSD25HCS170U1700v 25amp SiC Schottky Barrier Quest Semi |
1,233 | - |
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数据表 |
- | TO-247-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1700 V | 1.9 V @ 25 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 10 µA @ 1700 V | 2822pF @ 0V, 1MHz | 94A | - | - | Through Hole | TO-247-2 | -55°C ~ 175°C |
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QSD10HCS500U5000v 10amp Homogeneous SiC Scho Quest Semi |
500 | - |
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数据表 |
- | TO-220-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 5000 V | 1.9 V @ 10 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 600 µA @ 5000 V | 3880pF @ 0V, 1MHz | 66A | - | - | Through Hole | TO-220-2 | -55°C ~ 175°C |
