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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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NC1D120C40GTDN

NC1D120C40GTDN

SiC Diode 1200V 40A Dual Die TO2

NextGen Components

300 -
NC1D120C40GTDN

数据表

NC1D TO-247-3L Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1.2 kV 1.6 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 50 µA @ 1.2 kV 1371pF @ 100mV, 1MHz 40A - - Through Hole TO-247-3L -55°C ~ 175°C
NC1D120C60GTDN

NC1D120C60GTDN

SiC Schottky 1200V 60A TO247- 3L

NextGen Components

300 -
NC1D120C60GTDN

数据表

- TO-247-3L Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky - - - - - 2125pF @ 0.1V, 1MHz 60A - - Surface Mount TO-247-3L -55°C ~ 175°C
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