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二极管阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 二极管配置 技术 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 工作温度 - 结点 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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BSDW20G65C2

BSDW20G65C2

DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-247

Bourns Inc.

2,400 -
BSDW20G65C2

数据表

- TO-247-3 Tube Active 1 Pair Common Cathode SiC (Silicon Carbide) Schottky 20A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 650 V -55°C ~ 175°C - - Through Hole TO-247
BSDW20S65C6

BSDW20S65C6

DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-247

Bourns Inc.

2,391 -
BSDW20S65C6

数据表

- TO-247-3 Tube Active 1 Pair Common Cathode SiC (Silicon Carbide) Schottky 20A 1.45 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 650 V 650 V -55°C ~ 175°C - - Through Hole TO-247
BSDW20G120C2

BSDW20G120C2

DIODE ARRAY SIC 1200V 20A TO-247

Bourns Inc.

2,988 -
BSDW20G120C2

数据表

- TO-247-3 Tube Active 1 Pair Common Cathode SiC (Silicon Carbide) Schottky 20A 1.6 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 1200 V 1200 V -55°C ~ 175°C - - Through Hole TO-247
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