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二极管阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 二极管配置 技术 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 工作温度 - 结点 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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GHXS050B065S-D3

GHXS050B065S-D3

DIODE MOD SIC 650V 95A SOT-227

SemiQ

8,600 -
GHXS050B065S-D3

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Tube Active 2 Independent SiC (Silicon Carbide) Schottky 95A (DC) 1.6 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 125 µA @ 650 V 650 V -55°C ~ 175°C - - Chassis Mount SOT-227
GHXS015A120S-D3

GHXS015A120S-D3

DIODE MOD SIC 1200V 15A SOT-227

SemiQ

6,203 -
GHXS015A120S-D3

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Tube Active 2 Independent SiC (Silicon Carbide) Schottky 15A 1.7 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V 1200 V -55°C ~ 175°C - - Chassis Mount SOT-227
GHXS020A060S-D3

GHXS020A060S-D3

DIODE MOD SIC 600V 20A SOT-227

SemiQ

9,732 -
GHXS020A060S-D3

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Tube Active 2 Independent SiC (Silicon Carbide) Schottky 20A 1.7 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 600 V 600 V -55°C ~ 175°C - - Chassis Mount SOT-227
GHXS030A120S-D3

GHXS030A120S-D3

DIODE MOD SIC 1200V 30A SOT-227

SemiQ

5 -
GHXS030A120S-D3

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Tube Active 2 Independent SiC (Silicon Carbide) Schottky 30A 1.7 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 200 µA @ 1200 V 1200 V -55°C ~ 175°C - - Chassis Mount SOT-227
GHXS050A060S-D3

GHXS050A060S-D3

DIODE MOD SIC 600V 50A SOT-227

SemiQ

8,254 -
GHXS050A060S-D3

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Tube Active 2 Independent SiC (Silicon Carbide) Schottky 50A 1.8 V @ 50 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 600 V 600 V -55°C ~ 175°C - - Chassis Mount SOT-227
GHXS050B120S-D3

GHXS050B120S-D3

DIODE MOD SIC 1200V 101A SOT-227

SemiQ

4 -
GHXS050B120S-D3

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Tube Active 2 Independent SiC (Silicon Carbide) Schottky 101A (DC) 1.7 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 1200 V 1200 V -55°C ~ 175°C - - Chassis Mount SOT-227
GHXS045A120S-D3

GHXS045A120S-D3

DIODE MOD SIC 1200V 45A SOT-227

SemiQ

2,936 -
GHXS045A120S-D3

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Tube Active 2 Independent SiC (Silicon Carbide) Schottky 45A 1.7 V @ 45 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 300 µA @ 1200 V 1200 V -55°C ~ 175°C - - Chassis Mount SOT-227
GP3D024A065U

GP3D024A065U

DIODE ARRAY SIC 650V 12A TO247-3

SemiQ

9,001 -
GP3D024A065U

数据表

Amp+™ TO-247-3 Tube Active 1 Pair Common Cathode SiC (Silicon Carbide) Schottky 12A 1.5 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V 650 V -55°C ~ 175°C - - Through Hole TO-247-3
GP3D020A120U

GP3D020A120U

DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3

SemiQ

2,550 -
GP3D020A120U

数据表

Amp+™ TO-247-3 Tube Active 1 Pair Common Cathode SiC (Silicon Carbide) Schottky 10A 1.65 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1200 V 1200 V -55°C ~ 175°C - - Through Hole TO-247-3
GP3D040A120U

GP3D040A120U

DIODE ARR SIC 1200V 20A TO247-3

SemiQ

9,357 -
GP3D040A120U

数据表

Amp+™ TO-247-3 Tube Active 1 Pair Common Cathode SiC (Silicon Carbide) Schottky 20A 1.65 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 1200 V 1200 V -55°C ~ 175°C - - Through Hole TO-247-3
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