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光电二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 波长 颜色 - 增强 二极管类型 响应度 @ nm 响应时间 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电流 - 暗电流(典型值) 光谱范围 有效面积 视角 工作温度 安装类型 等级 认证

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KPDE086S-H85P-B

KPDE086S-H85P-B

SENSOR PHOTODIODE TO46-6 LENS

CEL

0 -
KPDE086S-H85P-B

数据表

- TO-46-6 Lens Top Metal Can Bag Active - - - 0.9 A/W @ 1310nm, 1 A/W @ 1550nm - 20 V 1nA 900nm ~ 1700nm 0.86mm² - -40°C ~ 70°C Through Hole - -
KPDS100-H54PS-B

KPDS100-H54PS-B

SENSOR PHOTODIODE 3300NM TO39

CEL

0 -
KPDS100-H54PS-B

数据表

- TO-39 Bag Active 3300nm - - 1.2 A/W @ 3300nm - 500 mV - - 1.00mm Dia - -40°C ~ 60°C Through Hole - -
KPDE086S-H8-B

KPDE086S-H8-B

SENSOR PHOTODIODE TO206AA

CEL

32 -
KPDE086S-H8-B

数据表

- TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Bag Active - - - 0.9 A/W @ 1310nm, 1 A/W @ 1550nm - 20 V 1nA 900nm ~ 1700nm 0.86mm² - -40°C ~ 85°C Through Hole - -
KPDA100P-H8-B

KPDA100P-H8-B

SENSOR PHOTODIODE 780NM TO206AA

CEL

25 -
KPDA100P-H8-B

数据表

- TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Bag Active 780nm - Avalanche 0.45 A/W @ 850nm - 200 V 30pA 400nm ~ 1000nm 1mm Dia - -40°C ~ 85°C Through Hole - -
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