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单个 IGBTs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 功率 - 最大值 安装类型 开关能量 输入类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 栅极电荷 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 认证 测试条件 供应商设备封装 等级 反向恢复时间 (trr) 工作温度

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IXXH50N60B3D1

IXXH50N60B3D1

IGBT 600V 120A 600W TO247

IXYS

294 -
IXXH50N60B3D1

数据表

GenX3™, XPT™ TO-247-3 Tube Active PT 600 V 200 A 1.8V @ 15V, 36A 600 W Through Hole 670µJ (on), 740µJ (off) Standard 120 A 70 nC 27ns/100ns - 360V, 36A, 5Ohm, 15V TO-247AD (IXXH) - 25 ns -
IXBH16N170

IXBH16N170

IGBT 1700V 40A TO247AD

IXYS

174 -
IXBH16N170

数据表

BIMOSFET™ TO-247-3 Tube Active - 1700 V 120 A 3.3V @ 15V, 16A 250 W Through Hole - Standard 40 A 72 nC - - - TO-247AD - 1.32 µs -55°C ~ 150°C (TJ)
IXYT55N120A4HV

IXYT55N120A4HV

IGBT PT 1200V 175A TO268HV

IXYS

228 -
IXYT55N120A4HV

数据表

- TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active PT 1200 V 350 A 1.8V @ 15V, 55A 650 W Surface Mount 2.3mJ (on), 5.3mJ (off) Standard 175 A 110 nC 23ns/300ns - 600V, 40A, 5Ohm, 15V TO-268HV (IXYT) - 35 ns -55°C ~ 175°C (TJ)
IXXK110N65B4H1

IXXK110N65B4H1

IGBT 650V 240A 880W TO264

IXYS

209 -
IXXK110N65B4H1

数据表

GenX4™, XPT™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 650 V 630 A 2.1V @ 15V, 110A 880 W Through Hole 2.2mJ (on), 1.05mJ (off) Standard 240 A 183 nC 38ns/156ns - 400V, 55A, 2Ohm, 15V TO-264 (IXXK) - 100 ns -55°C ~ 175°C (TJ)
IXGR48N60C3D1

IXGR48N60C3D1

IGBT PT 600V 56A ISOPLUS247

IXYS

779 -
IXGR48N60C3D1

数据表

GenX3™ TO-247-3 Tube Active PT 600 V 230 A 2.7V @ 15V, 30A 125 W Through Hole 410µJ (on), 230µJ (off) Standard 56 A 77 nC 19ns/60ns - 400V, 30A, 3Ohm, 15V ISOPLUS247™ - 25 ns -55°C ~ 150°C (TJ)
IXGH32N170

IXGH32N170

IGBT 1700V 75A 350W TO247AD

IXYS

449 -
IXGH32N170

数据表

- TO-247-3 Tube Active NPT 1700 V 200 A 3.3V @ 15V, 32A 350 W Through Hole 11mJ (off) Standard 75 A 155 nC 45ns/270ns - 1020V, 32A, 2.7Ohm, 15V TO-247AD - - -55°C ~ 150°C (TJ)
IXGH32N170A

IXGH32N170A

IGBT 1700V 32A 350W TO247

IXYS

975 -
IXGH32N170A

数据表

- TO-247-3 Tube Active NPT 1700 V 110 A 5V @ 15V, 21A 350 W Through Hole 1.5mJ (off) Standard 32 A 155 nC 46ns/260ns - 850V, 32A, 2.7Ohm, 15V TO-247AD - - -55°C ~ 150°C (TJ)
IXGT32N170-TRL

IXGT32N170-TRL

IGBT 1700V 75A 350W TO268

IXYS

1,784 -
IXGT32N170-TRL

数据表

- TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tape & Reel (TR) Active NPT 1700 V 200 A 3.3V @ 15V, 32A 350 W Surface Mount 11mJ (off) Standard 75 A 155 nC 45ns/270ns - 1020V, 32A, 2.7Ohm, 15V TO-268AA - - -55°C ~ 150°C (TJ)
IXBH2N250

IXBH2N250

IGBT 2500V 5A TO247AD

IXYS

162 -
IXBH2N250

数据表

BIMOSFET™ TO-247-3 Tube Active - 2500 V 13 A 3.5V @ 15V, 2A 32 W Through Hole - Standard 5 A 10.6 nC - - - TO-247AD - 920 ns -55°C ~ 150°C (TJ)
IXYK140N90C3

IXYK140N90C3

IGBT 900V 310A 1630W TO264

IXYS

373 -
IXYK140N90C3

数据表

GenX3™, XPT™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active - 900 V 840 A 2.7V @ 15V, 140A 1630 W Through Hole 4.3mJ (on), 4mJ (off) Standard 310 A 330 nC 40ns/145ns - 450V, 100A, 1Ohm, 15V TO-264 (IXYK) - - -55°C ~ 175°C (TJ)
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