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单个 IGBTs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 功率 - 最大值 安装类型 开关能量 输入类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 栅极电荷 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 认证 测试条件 供应商设备封装 等级 反向恢复时间 (trr) 工作温度

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WG50N65DHWQ

WG50N65DHWQ

IGBT TRENCH FS 650V 91A TO247-3

WeEn Semiconductors

311 -
WG50N65DHWQ

数据表

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 650 V 200 A 2V @ 15V, 50A 278 W Through Hole 1.7mJ (on), 600µJ (off) Standard 91 A 160 nC 66ns/163ns - 400V, 50A, 10Ohm, 15V TO-247-3 - 105 ns -55°C ~ 150°C (TJ)
WG50N65DHJQ

WG50N65DHJQ

WG50N65DHJ/SOT1293/STANDARD MARK

WeEn Semiconductors

9,275 -
WG50N65DHJQ

数据表

- TO-247-3 Bulk Active Trench Field Stop 650 V 200 A 2V @ 15V, 50A 278 W Through Hole 1.7mJ (on), 600µJ (off) Standard 91 A 160 nC 66ns/163ns - 400V, 50A, 10Ohm, 15V TO-247-3 - 105 ns -55°C ~ 150°C (TJ)
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