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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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FQB10N50CFTM-WS

FQB10N50CFTM-WS

MOSFET N-CH 500V 10A DPAK

Fairchild/ON Semiconductor

4,000 -
FQB10N50CFTM-WS

数据表

* - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
FDPF10N60NZ

FDPF10N60NZ

MOSFET N-CH 600V 10A TO-220F

Fairchild/ON Semiconductor

728 -
FDPF10N60NZ

数据表

* - Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
FQA65N20

FQA65N20

MOSFET N-CH 200V 65A TO-3P

Fairchild/ON Semiconductor

3,905 -
FQA65N20

数据表

QFET® TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 65A (Tc) 10V 32mOhm @ 32.5A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 200 nC @ 10 V 200 V ±30V 7900 pF @ 25 V - - TO-3PN - 310W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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