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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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BSS84

BSS84

MOSFET SOT-23 P Channel 50V

MDD

237,000 -
BSS84

数据表

SOT-23 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 130mA (Ta) 5V, 10V 8Ohm @ 100mA, 10V Surface Mount 2V @ 250µA 1.77 nC @ 10 V 50 V ±20V 30 pF @ 5 V - - SOT-23-3 - 225mW (Ta) -55°C ~ 150°C
AO3400-5.8A

AO3400-5.8A

MOSFET SOT-23 N Channel 30V

MDD

234,000 -
AO3400-5.8A

数据表

SOT-23 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5.8A (Ta) 3.3V, 4.5V 32mOhm @ 5.8A, 10V Surface Mount 1.2V @ 250µA 10.5 nC @ 15 V 30 V ±12V 630 pF @ 15 V - - SOT-23 - 1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
2N7002K

2N7002K

MOSFET SOT-23 N Channel 60V

MDD

777,000 -
2N7002K

数据表

SOT-23 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500mA (Ta) 4.5V, 10V 900mOhm @ 300mA, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 0.31 nC @ 10 V 60 V ±20V 23.8 pF @ 10 V - - SOT-23 - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C
SI2301S-2.3A

SI2301S-2.3A

MOSFET SOT-23 P Channel 20V

MDD

528,000 -
SI2301S-2.3A

数据表

SOT-23 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2A (Ta) 3.3V, 4.5V 90mOhm @ 3A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 6.6 nC @ 10 V 20 V ±10V 330 pF @ 10 V - - SOT-23 - 225mW (Ta) -55°C ~ 150°C
SI2301-3A

SI2301-3A

MOSFET SOT-23 P Channel 20V

MDD

249,000 -
SI2301-3A

数据表

SOT-23 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3A (Ta) 3.3V, 4.5V 90mOhm @ 3A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 6.6 nC @ 10 V 20 V ±10V 330 pF @ 10 V - - SOT-23 - 225mW (Ta) -55°C ~ 150°C
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