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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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WNSC2M1K0170WQ

WNSC2M1K0170WQ

WNSC2M1K0170W/TO247/STANDARD MAR

WeEn Semiconductors

7,741 -
WNSC2M1K0170WQ

数据表

- TO-247-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7A (Ta) 15V, 18V 1Ohm @ 1A, 18V Through Hole 4.2V @ 800µA 12 nC @ 18 V 1700 V +22V, -10V 225 pF @ 1000 V - - TO-247-3 - 79W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ)
WNSCM160120WQ

WNSCM160120WQ

WNSCM160120W/TO-247/STANDARD MAR

WeEn Semiconductors

3,465 -
WNSCM160120WQ

数据表

- TO-247-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24A (Ta) 20V 196mOhm @ 10A, 20V Through Hole 4.5V @ 3mA 35 nC @ 20 V 1200 V +25V, -10V 736 pF @ 1000 V - - TO-247-3 - 155W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ)
WNSCM80120WQ

WNSCM80120WQ

WNSCM80120W/TO-247/STANDARD MARK

WeEn Semiconductors

9,278 -
WNSCM80120WQ

数据表

- TO-247-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 42A (Ta) 20V 98mOhm @ 20A, 20V Through Hole 4.5V @ 6mA 59 nC @ 20 V 1200 V +25V, -10V 1350 pF @ 1000 V - - TO-247-3 - 230W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ)
WNSCM80120RQ

WNSCM80120RQ

WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MA

WeEn Semiconductors

7,616 -
WNSCM80120RQ

数据表

- TO-247-4 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 45A (Ta) 20V 98mOhm @ 20A, 20V Through Hole 4.5V @ 6mA 59 nC @ 20 V 1200 V +25V, -10V 1350 pF @ 1000 V - - TO-247-4L - 270W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ)
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