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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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STF6N80K5

STF6N80K5

MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220FP

STMicroelectronics

996 -
STF6N80K5

数据表

SuperMESH5™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.5A (Tc) 10V 1.6Ohm @ 2A, 10V Through Hole 5V @ 100µA 13 nC @ 10 V 800 V 30V 270 pF @ 100 V - - TO-220FP - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STL16N65M2

STL16N65M2

MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT

STMicroelectronics

2,515 -
STL16N65M2

数据表

MDmesh™ M2 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7.5A (Tc) 10V 395mOhm @ 3.5A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 19.5 nC @ 10 V 650 V ±25V 718 pF @ 100 V - - PowerFlat™ (5x6) HV - 56W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STB11N65M5

STB11N65M5

MOSFET N CH 650V 9A D2PAK

STMicroelectronics

2,839 -
STB11N65M5

数据表

MDmesh™ V TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 9A (Tc) 10V 480mOhm @ 4.5A, 10V Surface Mount 5V @ 250µA 17 nC @ 10 V 650 V ±25V 644 pF @ 100 V - - TO-263 (D2PAK) - 85W (Tc) 150°C (TJ)
STH170N8F7-2

STH170N8F7-2

MOSFET N-CH 80V 120A H2PAK-2

STMicroelectronics

1,254 -
STH170N8F7-2

数据表

STripFET™ F7 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120A (Tc) 10V 3.7mOhm @ 60A, 10V Surface Mount 4.5V @ 250µA 120 nC @ 10 V 80 V ±20V 8710 pF @ 40 V - - H2PAK-2 - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
STL190N4F7AG

STL190N4F7AG

MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT

STMicroelectronics

807 -
STL190N4F7AG

数据表

STripFET™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120A (Tc) 10V 2mOhm @ 17.5A, 10V Surface Mount, Wettable Flank 4V @ 250µA 41 nC @ 10 V 40 V ±20V 3000 pF @ 25 V AEC-Q101 - PowerFlat™ (5x6) Automotive 127W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
STF7N90K5

STF7N90K5

MOSFET N-CH 900V 7A TO220FP

STMicroelectronics

930 -
STF7N90K5

数据表

MDmesh™ K5 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7A (Tc) 10V - Through Hole 5V @ 100µA - 900 V ±30V - - - TO-220FP - 25W -55°C ~ 150°C (TJ)
STP15N65M5

STP15N65M5

MOSFET N CH 650V 11A TO220

STMicroelectronics

980 -
STP15N65M5

数据表

MDmesh™ V TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 11A (Tc) 10V 340mOhm @ 5.5A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 22 nC @ 10 V 650 V ±25V 810 pF @ 100 V - - TO-220 - 125W (Tc) 150°C (TJ)
STU75N3LLH6

STU75N3LLH6

MOSFET N-CH 30V 75A IPAK

STMicroelectronics

9,682 -
STU75N3LLH6

数据表

DeepGATE™, STripFET™ VI TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 4.5V, 10V 5.9mOhm @ 37.5A, 10V Through Hole 2.5V @ 250µA 23.8 nC @ 4.5 V 30 V ±20V 2030 pF @ 10 V - - TO-251 (IPAK) - 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
STP27N3LH5

STP27N3LH5

MOSFET N-CH 30V 27A TO220AB

STMicroelectronics

4,131 -
STP27N3LH5

数据表

STripFET™ V TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 27A (Tc) 4.5V, 10V 20mOhm @ 13.5A, 10V Through Hole 2.5V @ 250µA 4.6 nC @ 5 V 30 V ±22V 475 pF @ 25 V - - TO-220 - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
STP200NF03

STP200NF03

MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB

STMicroelectronics

981 -
STP200NF03

数据表

STripFET™ III TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120A (Tc) 10V 3.6mOhm @ 60A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 140 nC @ 10 V 30 V ±20V 4950 pF @ 25 V - - TO-220 - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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