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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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FKI06075

FKI06075

MOSFET N-CH 60V 52A TO220F

Sanken Electric USA Inc.

7,867 -
FKI06075

数据表

- TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 52A (Tc) 4.5V, 10V 6.3mOhm @ 39A, 10V Through Hole 2.5V @ 1mA 53.6 nC @ 10 V 60 V ±20V 3810 pF @ 25 V - - TO-220F - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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