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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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CSD18503KCS

CSD18503KCS

CSD18503KCS 40V, N CHANNEL NEXFE

National Semiconductor

450 -
CSD18503KCS

数据表

NexFET™ TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100A (Tc) 4.5V, 10V 4.5mOhm @ 75A, 10V Through Hole 2.3V @ 250µA 36 nC @ 10 V 40 V ±20V 3150 pF @ 20 V - - TO-220-3 - 188W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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