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    场效应晶体管（FETs）、MOSFETs

    制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)（最大值） 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗（最大值） 工作温度

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    图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)（最大值） 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗（最大值） 工作温度
    XR46000ESETR

    XR46000ESETR

    MOSFET N-CH 600V 1.5A SOT223

    MaxLinear, Inc.

    		 2,520 -
    询价单
    		XR46000ESETR

    数据表

         		- TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.5A (Tc) 10V 8Ohm @ 750mA, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 7.5 nC @ 10 V 600 V ±30V 170 pF @ 25 V - - SOT-223-3 - 20W (Tc) 150°C (TJ)
    XR46000ESE

    XR46000ESE

    MOSFET N-CH 600V 1.5A SOT223

    MaxLinear, Inc.

    		 8,922 -
    询价单
    		XR46000ESE

    数据表

         		- TO-261-4, TO-261AA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.5A (Tc) 10V 8Ohm @ 750mA, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 7.5 nC @ 10 V 600 V ±30V 170 pF @ 25 V - - SOT-223-3 - 20W (Tc) 150°C (TJ)
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