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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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2N7002K

2N7002K

N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET

HY Electronic (Cayman) Limited

9,056 -
2N7002K

数据表

2N7002K - Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 340mA (Ta) 4.5V, 10V 5Ohm @ 500mA, 10V Surface Mount 2.5V @ 1mA - 60 V ±20V 40 pF @ 10 V - - SOT-23 - 350mW (Ta) 150°C (TJ)
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