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场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs FET 特性 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 供应商设备封装 工作温度 安装类型 等级 认证

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NVMFWD027N10MCLT1G

NVMFWD027N10MCLT1G

MOSFET 2 N-Channel 100V 7.4A (Ta

Flip Electronics

1,500 -
NVMFWD027N10MCLT1G

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - -
NVMFD020N10MCLT1G

NVMFD020N10MCLT1G

MOSFET 2 N-Channel 100V 8.3A (Ta

Flip Electronics

12,000 -
NVMFD020N10MCLT1G

数据表

- - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - -
NVMFWD020N10MCLT1G

NVMFWD020N10MCLT1G

MOSFET 2 N-Channel 100V 8.3A (Ta

Flip Electronics

12,000 -
NVMFWD020N10MCLT1G

数据表

- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
FDPC8016S-B801

FDPC8016S-B801

Transistor MOSFET Array Dual N-C

Flip Electronics

125,104 -
FDPC8016S-B801

数据表

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - -
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