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    场效应晶体管（FET）、MOSFET 阵列

    制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs FET 特性 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds 功率 - 最大值 供应商设备封装 工作温度 安装类型 等级 认证

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    图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs FET 特性 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds 功率 - 最大值 供应商设备封装 工作温度 安装类型 等级 认证
    HCT802

    HCT802

    MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A 6SMD

    TT Electronics/Optek Technology

    		 9,979 -
    询价单
    		HCT802

    数据表

         		- 6-SMD, No Lead Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel 90V 2A, 1.1A 5Ohm @ 1A, 10V 2.5V @ 1mA - - 70pF @ 25V 500mW 6-SMD -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
    HCT802TXV

    HCT802TXV

    MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A 6SMD

    TT Electronics/Optek Technology

    		 9,493 -
    询价单
    		HCT802TXV

    数据表

         		- 6-SMD, No Lead Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel 90V 2A, 1.1A 5Ohm @ 1A, 10V 2.5V @ 1mA - - 70pF @ 25V 500mW 6-SMD -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
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