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场效应晶体管（FET）、MOSFET 阵列

制造商	系列	封装/外壳	包装	产品状态	技术	配置	漏极到源极电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs	栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id	栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs	FET 特性	输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds	功率 - 最大值	供应商设备封装	工作温度	安装类型	等级	认证
Advanced Linear Devices Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Analog Devices Inc./Maxim Integrated Analog Power Inc. Bruckewell Central Semiconductor Corp Comchip Technology Diodes Incorporated Diotec Semiconductor EMO Inc. EPC EPC Space, LLC Fairchild Semiconductor Flip Electronics GE Aerospace GeneSiC Semiconductor Goford Semiconductor Good-Ark Semiconductor Harris Corporation HY Electronic (Cayman) Limited Infineon Technologies International Rectifier IXYS Linear Integrated Systems, Inc. Littelfuse Inc. Micro Commercial Co Microchip Technology Microsemi Corporation Monolithic Power Systems Inc. National Semiconductor Nexperia USA Inc. Nuvoton Technology Corporation NXP Semiconductors onsemi Panasonic - BSG Panjit International Inc. Powerex Inc. Qorvo Rectron USA Renesas ROHM Semiconductor Sanken Electric USA Inc. Sanyo SemiQ Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. Siliconix SMC Diode Solutions STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Corporation Texas Instruments Toshiba Semiconductor and Storage Transphorm TT Electronics/Optek Technology UMW Unitrode Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay Siliconix WeEn Semiconductors Wise-Integration Wolfspeed, Inc. YAGEO XSemi

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2N7002DW

2N7002DW

60V 115MA 7.5@10V,500MA 200MW 2.

Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

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