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场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs FET 特性 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 供应商设备封装 工作温度 安装类型 等级 认证

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AUIRF9952QTR

AUIRF9952QTR

MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO

International Rectifier

24,000 -
AUIRF9952QTR

数据表

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 100mOhm @ 2.2A, 10V 3V @ 250µA 14nC @ 10V Logic Level Gate 190pF @ 15V 2W 8-SO -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
IRF6802SDTRPBF

IRF6802SDTRPBF

MOSFET 2N-CH 25V 16A DIRECTFET

International Rectifier

5,145 -
IRF6802SDTRPBF

数据表

DirectFET™ DirectFET™ Isometric SA Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 25V 16A (Ta), 57A (Tc) 4.2mOhm @ 16A, 10V 2.1V @ 35µA 13nC @ 4.5V - 1350pF @ 13V 1.7W (Ta), 21W (Tc) DirectFET™ Isometric SA -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
IRFH4257DTRPBF

IRFH4257DTRPBF

MOSFET 2N-CH 25V 25A PQFN

International Rectifier

1,834 -
IRFH4257DTRPBF

数据表

HEXFET® 8-PowerVDFN Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 25V 25A 3.4mOhm @ 25A, 10V 2.1V @ 35µA 15nC @ 4.5V Logic Level Gate 1321pF @ 13V 25W, 28W Dual PQFN (5x4) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
IRF9395MTRPBF

IRF9395MTRPBF

MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET

International Rectifier

141,429 -
IRF9395MTRPBF

数据表

DirectFET™ DirectFET™ Isometric MC Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) 30V 14A (Ta), 75A (Tc) 7mOhm @ 14A, 10V 2.4V @ 50µA 64nC @ 4.5V - 3241pF @ 15V 2.1W (Ta), 57W (Tc) DirectFET™ Isometric MC -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
IRFHE4250DTRPBF

IRFHE4250DTRPBF

MOSFET 2N-CH 25V 86A 32QFN

International Rectifier

9,000 -
IRFHE4250DTRPBF

数据表

HEXFET® 32-PowerVFQFN Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 25V 86A (Tc), 303A (Tc) 2.75mOhm @ 27A, 10V, 0.9mOhm @ 27A, 10V 2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA 20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V - 1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V 156W (Tc) 32-PQFN (6x6) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
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