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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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FR306BULK

FR306BULK

DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

EIC SEMICONDUCTOR INC.

5,000 -
FR306BULK

数据表

- DO-201AD, Axial Bag Active Standard 800 V 1.3 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 10 µA @ 800 V 60pF @ 4V, 1MHz 3A - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 150°C
BYD13DBULK

BYD13DBULK

DIODE AVALANCHE 200V 1.4A DO41

EIC SEMICONDUCTOR INC.

5,000 -
BYD13DBULK

数据表

- DO-204AL, DO-41, Axial Bag Active Avalanche 200 V 1.05 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 1 µA @ 200 V - 1.4A - - Through Hole DO-41 175°C
BYD33GBULK

BYD33GBULK

DIODE AVALANCHE 400V 1.3A DO41

EIC SEMICONDUCTOR INC.

5,000 -
BYD33GBULK

数据表

- DO-204AL, DO-41, Axial Bag Active Avalanche 400 V 1.3 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 1 µA @ 400 V - 1.3A - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 175°C
HER102BULK

HER102BULK

DIODE GEN PURP 100V 1A DO41

EIC SEMICONDUCTOR INC.

5,000 -
HER102BULK

数据表

- DO-204AL, DO-41, Axial Bag Active Standard 100 V 1.1 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 5 µA @ 100 V 50pF @ 4V, 1MHz 1A - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 150°C
BYD13JBULK

BYD13JBULK

DIODE AVALANCHE 600V 1.4A DO41

EIC SEMICONDUCTOR INC.

5,000 -
BYD13JBULK

数据表

- DO-204AL, DO-41, Axial Bag Active Avalanche 600 V 1.05 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 1 µA @ 600 V - 1.4A - - Through Hole DO-41 175°C
BYD33MBULK

BYD33MBULK

DIODE AVALANCHE 1KV 1.3A DO41

EIC SEMICONDUCTOR INC.

5,000 -
BYD33MBULK

数据表

- DO-204AL, DO-41, Axial Bag Active Avalanche 1000 V 1.3 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 1 µA @ 1000 V - 1.3A - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 175°C
1N5818BULK

1N5818BULK

DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO41

EIC SEMICONDUCTOR INC.

4,000 -
1N5818BULK

数据表

- DO-204AL, DO-41, Axial Bag Active Schottky 30 V 550 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 30 V 110pF @ 4V, 1MHz 1A - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 125°C
1N5819BULK

1N5819BULK

DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41

EIC SEMICONDUCTOR INC.

3,000 -
1N5819BULK

数据表

- DO-204AL, DO-41, Axial Bag Active Schottky 40 V 600 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 40 V 110pF @ 4V, 1MHz 1A - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 125°C
FR304BULK

FR304BULK

DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

EIC SEMICONDUCTOR INC.

2,500 -
FR304BULK

数据表

- DO-201AD, Axial Bag Active Standard 400 V 1.3 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 10 µA @ 400 V 60pF @ 4V, 1MHz 3A - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 150°C
BYD13KBULK

BYD13KBULK

DIODE AVALANCHE 800V 1.4A DO41

EIC SEMICONDUCTOR INC.

2,000 -
BYD13KBULK

数据表

- DO-204AL, DO-41, Axial Bag Active Avalanche 800 V 1.05 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 1 µA @ 800 V - 1.4A - - Through Hole DO-41 175°C
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