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制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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WND10P08XQ

WND10P08XQ

DIODE GEN PURP 800V 10A TO220F

WeEn Semiconductors

422 -
WND10P08XQ

数据表

- TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active Standard 800 V 1.3 V @ 10 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 800 V - 10A - - Through Hole TO-220F 150°C
BYV29FD-600,118

BYV29FD-600,118

DIODE GEN PURP 600V 9A DPAK

WeEn Semiconductors

9,172 -
BYV29FD-600,118

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 1.9 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 50 µA @ 600 V - 9A - - Surface Mount DPAK 150°C (Max)
BYC20DX-600PQ

BYC20DX-600PQ

DIODE GEN PURP 600V 20A TO220F

WeEn Semiconductors

5,890 -
BYC20DX-600PQ

数据表

- TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active Standard 600 V 2.9 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 20 ns 10 µA @ 600 V - 20A - - Through Hole TO-220F 175°C (Max)
BYC15-600PQ

BYC15-600PQ

DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC

WeEn Semiconductors

4,491 -
BYC15-600PQ

数据表

- TO-220-2 Tube Active Standard 600 V 3.2 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 18 ns 10 µA @ 600 V - 15A - - Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
BYC10-600,127

BYC10-600,127

DIODE GEN PURP 500V 10A TO220AC

WeEn Semiconductors

2,364 -
BYC10-600,127

数据表

- TO-220-2 Tube Active Standard 500 V 2.9 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 200 µA @ 600 V - 10A - - Through Hole TO-220AC 150°C (Max)
BYW29E-200,127

BYW29E-200,127

DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC

WeEn Semiconductors

5,623 -
BYW29E-200,127

数据表

- TO-220-2 Tube Active Standard 200 V 1.05 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 10 µA @ 200 V - 8A - - Through Hole TO-220AC 150°C (Max)
BYR29X-800,127

BYR29X-800,127

DIODE GEN PURP 800V 8A TO220FP

WeEn Semiconductors

5,772 -
BYR29X-800,127

数据表

- TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active Standard 800 V 1.7 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 10 µA @ 800 V - 8A - - Through Hole TO-220FP 150°C (Max)
BYC8-600,127

BYC8-600,127

DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

WeEn Semiconductors

4,082 -
BYC8-600,127

数据表

- TO-220-2 Tube Active Standard 600 V 2.9 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 52 ns 150 µA @ 600 V - 8A - - Through Hole TO-220AC 150°C (Max)
BYV29X-600AQ

BYV29X-600AQ

DIODE GEN PURP TO220F

WeEn Semiconductors

11,942 -
BYV29X-600AQ

数据表

- TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active - - - - - - - - - - Through Hole TO-220F -
BYV29FX-600,127

BYV29FX-600,127

DIODE GEN PURP 600V 9A TO220FP

WeEn Semiconductors

6,871 -
BYV29FX-600,127

数据表

- TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active Standard 600 V 1.9 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 50 µA @ 600 V - 9A - - Through Hole TO-220FP 150°C (Max)
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