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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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STPSC10H065DY

STPSC10H065DY

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC

STMicroelectronics

1,108 -
STPSC10H065DY

数据表

ECOPACK®2 TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.75 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 650 V 480pF @ 0V, 1MHz 10A Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
STTH60L04W

STTH60L04W

DIODE GEN PURP 400V 60A DO247

STMicroelectronics

8,124 -
STTH60L04W

数据表

- DO-247-2 (Straight Leads) Tube Obsolete Standard 400 V 1.2 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 90 ns 50 µA @ 400 V - 60A - - Through Hole DO-247 175°C (Max)
STPSC10C065RY

STPSC10C065RY

DIODE SIL CARBIDE 650V 10A I2PAK

STMicroelectronics

972 -
STPSC10C065RY

数据表

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 480pF @ 0V, 1MHz 10A Automotive AEC-Q101 Through Hole I2PAK -40°C ~ 175°C
STPSC12C065DY

STPSC12C065DY

DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC

STMicroelectronics

154 -
STPSC12C065DY

数据表

ECOPACK®2 TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.75 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 120 µA @ 650 V 530pF @ 0V, 1MHz 12A Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
STTH30S06W

STTH30S06W

DIODE GEN PURP 600V 30A DO247-2

STMicroelectronics

521 -
STTH30S06W

数据表

- DO-247-2 (Straight Leads) Tube Obsolete Standard 600 V 3.6 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 50 µA @ 600 V - 30A - - Through Hole - -40°C ~ 175°C
STPSC1006D

STPSC1006D

DIODE SIL CARB 600V 10A TO220AC

STMicroelectronics

166 -
STPSC1006D

数据表

- TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 300 µA @ 600 V 650pF @ 0V, 1MHz 10A - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
BYW77P-200

BYW77P-200

DIODE GEN PURP 200V 25A SOD93-2

STMicroelectronics

7,937 -
BYW77P-200

数据表

- SOD-93-2 Tube Obsolete Standard 200 V 1.15 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 25 µA @ 200 V - 25A - - Through Hole SOD-93-2 -40°C ~ 150°C
STPSC12H065DY

STPSC12H065DY

DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC

STMicroelectronics

219 -
STPSC12H065DY

数据表

ECOPACK®2 TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.75 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 120 µA @ 650 V 600pF @ 0V, 1MHz 12A Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
STPSC20065CWL

STPSC20065CWL

DIODE SIL CARB 650V 10A TO247

STMicroelectronics

9,508 -
STPSC20065CWL

数据表

ECOPACK®2 TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.45 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 130 µA @ 650 V 670pF @ 0V, 1MHz 10A - - Through Hole TO-247 Long Leads -40°C ~ 175°C
BYT60P-1000

BYT60P-1000

DIODE ARRAY GP 1000V 60A SOD93

STMicroelectronics

5,353 -
BYT60P-1000

数据表

- SOD-93-2 Tube Obsolete Standard 1000 V 1.9 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 170 ns 100 µA @ 1000 V - 60A - - Through Hole SOD-93-2 150°C (Max)
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