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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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NRVRGF1D

NRVRGF1D

DIODE GEN PURP 200V 1A SMA

onsemi

2,771 -
NRVRGF1D

数据表

- DO-214AC, SMA Tape & Reel (TR) Active Standard 200 V 1.3 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 5 µA @ 200 V 8.5pF @ 4V, 1MHz 1A Automotive AEC-Q101 Surface Mount SMA -65°C ~ 175°C
FES16BTR

FES16BTR

DIODE GEN PURP 100V 16A TO220-2

onsemi

8,568 -
FES16BTR

数据表

- TO-220-2 Tube Obsolete Standard 100 V 950 mV @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 100 V 170pF @ 4V, 1MHz 16A - - Through Hole TO-220-2 -65°C ~ 150°C
FES16HTR

FES16HTR

DIODE GEN PURP 500V 16A TO220-2

onsemi

5,030 -
FES16HTR

数据表

- TO-220-2 Tube Obsolete Standard 500 V 1.5 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 500 V 145pF @ 4V, 1MHz 16A - - Through Hole TO-220-2 -65°C ~ 150°C
FES16GTR

FES16GTR

DIODE GEN PURP 400V 16A TO220-2

onsemi

5,449 -
FES16GTR

数据表

- TO-220-2 Tube Obsolete Standard 400 V 1.3 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 400 V 170pF @ 4V, 1MHz 16A - - Through Hole TO-220-2 -65°C ~ 150°C
FES16CTR

FES16CTR

DIODE GEN PURP 150V 16A TO220-2

onsemi

2,154 -
FES16CTR

数据表

- TO-220-2 Tube Obsolete Standard 150 V 950 mV @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 150 V 170pF @ 4V, 1MHz 16A - - Through Hole TO-220-2 -65°C ~ 150°C
FFPF40U60STU

FFPF40U60STU

DIODE GEN PURP 600V 40A TO220F

onsemi

3,634 -
FFPF40U60STU

数据表

- TO-220-2 Full Pack Tube Obsolete Avalanche 600 V 2.1 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 110 ns 20 µA @ 600 V - 40A - - Through Hole TO-220F-2L -65°C ~ 150°C
FFSH5065B-F155

FFSH5065B-F155

650V 50A SIC SBD GEN 1.5

onsemi

435 -
FFSH5065B-F155

数据表

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 2030pF @ 1V, 100kHz 48A - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
NVDSH20120C

NVDSH20120C

DIODE SIL CARB 1.2KV 26A TO247-2

onsemi

447 -
NVDSH20120C

数据表

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.75 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1480pF @ 1V, 100kHz 26A Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
MBRD320RL

MBRD320RL

DIODE SCHOTTKY 20V 3A DPAK

onsemi

2,602 -
MBRD320RL

数据表

SWITCHMODE™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 20 V 600 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 20 V - 3A - - Surface Mount DPAK -65°C ~ 150°C
MBRD330RL

MBRD330RL

DIODE SCHOTTKY 30V 3A DPAK

onsemi

4,421 -
MBRD330RL

数据表

SWITCHMODE™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 30 V 600 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 30 V - 3A - - Surface Mount DPAK -65°C ~ 150°C
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